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專(zhuān)精特新“小巨人”企業(yè)

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產(chǎn)品導(dǎo)航

動(dòng)態(tài)老化測(cè)試系統(tǒng)

當(dāng)前位置：首頁(yè) 產(chǎn)品中心可靠性測(cè)試設(shè)備動(dòng)態(tài)老化測(cè)試系統(tǒng) 動(dòng)態(tài)老化測(cè)試系統(tǒng)

DHTGB2010

高溫動(dòng)態(tài)柵偏老化測(cè)試系統(tǒng)

該系統(tǒng)針對(duì)第三代SiC MOSFET具有動(dòng)態(tài)柵偏老化測(cè)試能力，每塊試驗(yàn)區(qū)可獨(dú)立老化測(cè)試12工位，獨(dú)立12路可配置脈沖，測(cè)試柵極漏電流相互之間不干擾?？蔀槠骷峁┦覝貇200°C的試驗(yàn)溫度。具有試驗(yàn)器件短路脫離試驗(yàn)功能，可自動(dòng)將故障器件脫離老化試驗(yàn)回路，不影響其他器件的正常試驗(yàn)。

DHTRB2000

高溫動(dòng)態(tài)反偏老化測(cè)試系統(tǒng)

該系統(tǒng)針對(duì)SiC MOSFET進(jìn)行動(dòng)態(tài)反偏老化測(cè)試，測(cè)試方法參考AQG324。每個(gè)試驗(yàn)區(qū)域可進(jìn)行最高12個(gè)工位的測(cè)試，工位具備獨(dú)立脈沖源配置?？蔀槠骷峁┦覝貇200°C的試驗(yàn)溫度。具有試驗(yàn)器件短路脫離試驗(yàn)功能，可自動(dòng)將故障器件脫離老化試驗(yàn)回路，不影響其他器件的正常試驗(yàn)。

DH3TRB2000

高溫高濕動(dòng)態(tài)反偏老化測(cè)試系統(tǒng)

該系統(tǒng)針對(duì)SiC MOSFET進(jìn)行高溫高濕動(dòng)態(tài)反偏老化測(cè)試，測(cè)試方法參考AQG324。每個(gè)試驗(yàn)區(qū)域可進(jìn)行最高6個(gè)工位的測(cè)試，工位具備獨(dú)立脈沖源配置?？蔀槠骷峁?biāo)準(zhǔn)85°C/85%RH試驗(yàn)環(huán)境。具有試驗(yàn)器件短路脫離試驗(yàn)功能，可自動(dòng)將故障器件脫離老化試驗(yàn)回路，不影響其他器件的正常試驗(yàn)。