點擊咨詢產(chǎn)品高溫偏置老化測試系統(tǒng)(HTXB2000)
該系統(tǒng)可進行室溫+10℃~+200℃的高溫反偏及柵偏老化測試，老化過程中實時監(jiān)測被測器件的漏電流狀態(tài)、被測器件的電壓狀態(tài)，并根據(jù)需要記錄老化試驗數(shù)據(jù)，導(dǎo)出試驗報表。
功能
- nA級別的漏電流檢測精度
- 整機30S的全工位數(shù)據(jù)刷新
- 獨特高壓抑制電路，器件瞬間擊穿不影響其他工位老化進程
- 可定制工位老化電壓獨立控制功能，實現(xiàn)單工位老化超限剔除
- 可定制正負電源，實現(xiàn)模塊上下橋同時施加偏置電壓
- 設(shè)備可自動切換HTRB、HTGB老化模式，實現(xiàn)一次進爐，自動完成RB/GB老化
- 充分的實驗員人體安全考成設(shè)定
產(chǎn)品特性
試驗溫區(qū) | 1個 |
試驗濕度 | 室溫+10℃~+200℃ |
老化試驗區(qū) | 16區(qū) (16/32/40/48區(qū)可選) |
單區(qū)工位數(shù) | 40 (典型) |
電壓檢測精度 | ±(1%±2LSB) |
電流檢測范圍 | 10nA-50mA |
電流檢測精度 | ±(1%±10nA) |
整機供電 | 三相AC380V±38V |
最大功率 | 8KW (典型) |
整機重量 | 680Kg (典型) |
整機尺寸 | 1400mm(W)×1400mm(D)×2000mm(H) |
適用標準
AEC-Q102 AQG324 JESD22-A101
適用器件
適用于MOS管、二極管、三極管、IGBT模塊、PIM模塊、SiC、GaN、可控硅等